選擇這個(gè)殺菌LED集成光源，COB光源是在LED芯片直接貼在高反光率的鏡面金屬基板上的高光效集成面光源技術(shù)，此技術(shù)剔除了支架概念，

半導(dǎo)體照明作為我國(guó)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，對(duì)節(jié)能環(huán)保意義重大，中國(guó)是全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、使用和出口大國(guó)。然而，在特種LED光源領(lǐng)域，由于技術(shù)門(mén)檻較高，市場(chǎng)一直被國(guó)外公司所壟斷。

光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LED p、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過(guò)率，從而造成較大的光輸出功率衰減。

除了體積，LED光源還具有長(zhǎng)壽命的優(yōu)勢(shì)，這也是最大的優(yōu)勢(shì)，燈泡衰減速度快，而LED雖然也衰減，但是速度較慢，理論上它有幾萬(wàn)小時(shí)的壽命。

瞬態(tài)光效是LED光源短時(shí)間的光_電轉(zhuǎn)換特性，它與芯片和熒光粉量子激發(fā)能力、膠體折射率、透光率、支架結(jié)構(gòu)(反光杯)反光率等條件有關(guān)，與芯片結(jié)溫基本無(wú)關(guān)。它只有測(cè)量對(duì)比意義，瞬態(tài)光效不能代表實(shí)際工作狀態(tài)。

未來(lái)市場(chǎng)會(huì)朝專業(yè)化方向發(fā)展，從光學(xué)上看CSP更適合做筒燈而不適合做射燈，EMC&PCT更適合做性價(jià)比高的中小功率產(chǎn)品，陶瓷封裝則適合做小尺寸大功率產(chǎn)品等等，即使CSP技術(shù)再成熟，畢竟在尺寸上不可能無(wú)止境的縮小，依舊會(huì)存在瓶頸，封裝廠家生存市場(chǎng)仍然非常可觀。

選擇這個(gè)免驅(qū)動(dòng)LED光源，COB光源可以簡(jiǎn)單理解為高功率集成面光源，可以根據(jù)產(chǎn)品外形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)光源的出光面積和外形尺寸。

實(shí)現(xiàn)大功率LED照明的方法有兩種：一是對(duì)單顆大功率LED芯片進(jìn)行封裝，二是采用多芯片集成封裝。對(duì)于前者來(lái)說(shuō)，隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，尺寸增大，品質(zhì)提高，可通過(guò)大電流驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)大功率LED，但同時(shí)會(huì)受到芯片尺寸的限制，后者具有更大的靈活性和發(fā)展?jié)摿?，可根?jù)照度不同來(lái)改變芯片的數(shù)量，同時(shí) 它具有較高的性價(jià)比，使得LED集成封裝成為L(zhǎng)ED封裝的主流方向之一。

通過(guò)MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長(zhǎng)GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)髮光區(qū)發(fā)出的光透過(guò)上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過(guò)蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過(guò)該層金屬薄膜引出。